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第四十七章 新的目标（第1页）

之后的几天，许秋又做了两批器件，一批是重复PEN基片的，另一批是在同样实验条件下玻璃基片的。

PTB7-TH体系中，PEN基片的最高效率提高了一点点，达到了8.20%。

而玻璃基片下的标准样品，最高效率可达10.26%。

这个数值，相比于他之前在模拟实验室中得到的10.68%，稍差一些，可能是器件结构不同造成的。

PEN基片不能高温热退火，所以用的是PEDOT:PSS传输层的正常结构，而之前使用的是氧化锌传输层的倒置结构。

此外，虽然重点在于PTB7-TH体系，但是许秋也做了P3HT体系。

主要是为了让文章数据更加丰满一些，同时也说明这种柔性衬底的加工方式具有普适性。

再之后，许秋完成了各种表征测试，包括光吸收光谱、荧光光谱、CELIV测试等，还拍了一张用两只镊子弯曲PEN基片器件的照片。

在实验进行的间隙，许秋也在同步以论文的形式，写项目的结题报告。

这个时候，他前期阅读了大量的文献的优势就体现出来了，再加上他还可以随时向学姐请教。

因此中文论文写起来压力并不大。

正文部分，许秋先将四组器件编号，PEN基片的PTB7-TH、P3HT体系，分别为1#、3#，玻璃基片对应的体系分别为2#、4#。

然后，主要就是比较玻璃和PEN这两种基片的不同，对器件性能的影响，并分析其可能的原因。

像是光学性能，光吸收光谱和荧光光谱都是直接测有效层薄膜的，数据对两种基片的器件都是一样的。

所以不需要比较，直接将得到的图片信息转化为文字就可以了。

比如：1#、2#有效层共混薄膜的主要光吸收范围在550-750纳米，最高吸收峰位置在680纳米处，3#、4#的主要光吸收范围在300-600纳米，最高吸收峰位置在530纳米处。

荧光光谱则相对复杂一些，两种体系都需要分别测试给体、受体单独组分薄膜和共混薄膜的荧光光谱，然后计算荧光淬灭效率。

不过，同样是看图说话，也没什么难度。

而像是CELIV，则是对电池器件进行表征，那么不同样品编号的器件测试的结果就会有所不同，就需要进行比较分析。

许秋的测试结果：1#的载流子迁移率是1.2E-4厘米平方每伏秒，2#是2.5E-4厘米平方每伏秒，显然2#更高一些，但两者在同一数量级。

因为2#对应的电池器件性能更好，就可以解释为，载流子迁移率的提高导致了器件性能的提高。

进一步，还可以继续分析下去，比如迁移率的提高会减小电荷复合情况，增大短路电流密度等等。

但如果反过来，假如他的测试结果为：2#是1.2E-4厘米平方每伏秒，1#是2.5E-4厘米平方每伏秒。

那么就可以一笔带过，说两者载流子迁移率相差不大，在同一个数量级，或者说载流子迁移率对器件光电性能的影响不大。

许秋最开始阅读文献的时候，就时常疑惑，对于同样的一个实验现象，为什么有的人说是XX原因，有的人说是YY原因，还有人说是XXYY原因，难道学术界里就没有一种统一的观点吗？后来，随着文献阅读量的提升，他逐渐明白了其中的道理。